NDT455N

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Especificaciones

Número de pieza

NDT455N
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 11.5A SOT-223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

1.NDT455N.pdf
2.NDT455N.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-223-4
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

15 mOhm @ 11.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres

NDT455NTR
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1220pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

61nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 11.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11.5A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NDT3055

Descripción:

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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