NDS9958

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Especificaciones

Número de pieza

NDS9958
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 20V 3A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NDS9958.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

100 mOhm @ 3.5A, 10V
Potencia - Max

900mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

NDS9958TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

525pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

30nC @ 10V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.5A 900mW Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

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NDS9945

Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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