MVGSF1N03LT1G

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Especificaciones

Número de pieza

MVGSF1N03LT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MVGSF1N03LT1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

100 mOhm @ 1.2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

420mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

MVGSF1N03LT1G-ND
MVGSF1N03LT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 1.6A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.6A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "MVGSF1N03LT1G".

AOTF11N62L

Descripción: MOSFET N-CH 620V 11A TO220F

Fabricantes: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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