MURHF860CT

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Especificaciones

Número de pieza

MURHF860CT
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE ARRAY GP 600V 4A TO220FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

MURHF860CT.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

2.8V @ 4A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

600V
Paquete del dispositivo

TO-220FP
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

SWITCHMODE™
Tiempo de recuperación inversa (trr)

35ns
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento - Junction

-65°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo de diodo

Standard
configuración de diodo

1 Pair Common Cathode
Descripción detallada

Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 4A Through Hole TO-220-3 Full Pack
Corriente - Fuga inversa a Vr

10µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

4A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "MURHF860CT".

MURHB840CTT4G

Descripción: DIODE ARRAY GP 400V 4A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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