MUN5133T1G

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Especificaciones

Número de pieza

MUN5133T1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MUN5133T1G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

100mA
Tensión - Desglose

SC-70-3 (SOT323)
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

50V
Serie

-
Estado RoHS

Cut Tape (CT)
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms)

4.7k
Resistencia - Base (R1) (Ohms)

-
Potencia - Max

202mW
Polarización

SC-70, SOT-323
Otros nombres

MUN5133T1GOSCT
La figura de ruido (dB Typ @ f)

47k
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Número de pieza del fabricante

MUN5133T1G
Frecuencia - Transición

80 @ 5mA, 10V
Descripción ampliada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Descripción

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

500nA
Corriente - corte del colector (Max)

250mV @ 300µA, 10mA
Corriente - colector (Ic) (Max)

PNP - Pre-Biased

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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MUN5133DW1T1G

Descripción:

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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