MPSA29RLRP

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Especificaciones

Número de pieza

MPSA29RLRP
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN DARL 100V 0.5A TO92
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

MPSA29RLRP.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

100V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA
Tipo de transistor

NPN - Darlington
Paquete del dispositivo

TO-92-3
Serie

-
Potencia - Max

625mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Otros nombres

MPSA29RLRPOSCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frecuencia - Transición

200MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 500mA 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

500mA
Número de pieza base

MPSA29

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "MPSA29RLRP".

MPSA29_D27Z

Descripción: TRANS NPN DARL 100V 0.8A TO-92

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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