MPS6602G

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Especificaciones

Número de pieza

MPS6602G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 40V 1A TO92
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MPS6602G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

40V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

TO-92-3
Serie

-
Potencia - Max

625mW
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Otros nombres

MPS6602GOS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

100MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 1A 100MHz 625mW Through Hole TO-92-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 500mA, 1V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

1A

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Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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MPS6601G

Descripción: TRANS NPN 25V 1A TO92

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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