MMJT350T1G

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Especificaciones

Número de pieza

MMJT350T1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MMJT350T1G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

300V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

-
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

SOT-223
Serie

-
Potencia - Max

650mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres

MMJT350T1G-ND
MMJT350T1GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

2 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

-
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 500mA 650mW Surface Mount SOT-223
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

500mA
Número de pieza base

MMJT350

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "MMJT350T1G".

2SA965-Y,T6F(J

Descripción: TRANS PNP 800MA 120V TO226-3

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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