MMBT6427LT1G

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Especificaciones

Número de pieza

MMBT6427LT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MMBT6427LT1G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

40V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 500µA, 500mA
Tipo de transistor

NPN - Darlington
Paquete del dispositivo

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
Potencia - Max

225mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

MMBT6427LT1GOSCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

36 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

-
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40V 500mA 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

20000 @ 100mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

1µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

500mA
Número de pieza base

MMBT6427

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "MMBT6427LT1G".

MMBT5770

Descripción: TRANSISTOR RF NPN SOT-23

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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