MJF3055G

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Especificaciones

Número de pieza

MJF3055G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MJF3055G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

90V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 3.3A, 10A
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

TO-220FP
Serie

-
Potencia - Max

2W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Otros nombres

MJF3055GOS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

2MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 90V 10A 2MHz 2W Through Hole TO-220FP
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 4V
Corriente - corte del colector (Max)

1µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

10A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "MJF3055G".

MJF44H11G

Descripción: TRANS NPN 80V 10A TO220FP

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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