MJE5742G

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Especificaciones

Número de pieza

MJE5742G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MJE5742G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

400V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

3V @ 400mA, 8A
Tipo de transistor

NPN - Darlington
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

-
Potencia - Max

2W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

MJE5742GOS
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

-
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 400V 8A 2W Through Hole TO-220AB
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2A, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

-
Corriente - colector (Ic) (Max)

8A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "MJE5742G".

MJE5742

Descripción: TRANS NPN DARL 400V 8A TO220AB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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