MJD5731T4G

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Especificaciones

Número de pieza

MJD5731T4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 350V 1A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MJD5731T4G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

1A
Tensión - Desglose

DPAK-3
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

350V
Serie

-
Estado RoHS

Digi-Reel®
Resistencia - Base (R1) (Ohms)

10MHz
Potencia - Max

1.56W
Polarización

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

MJD5731T4GOSDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Número de pieza del fabricante

MJD5731T4G
Frecuencia - Transición

30 @ 300mA, 10V
Descripción ampliada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 350V 1A 10MHz 1.56W Surface Mount DPAK-3
Descripción

TRANS PNP 350V 1A DPAK
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

100µA
Corriente - corte del colector (Max)

1V @ 200mA, 1A
Corriente - colector (Ic) (Max)

PNP

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "MJD5731T4G".

MJD47T4

Descripción: TRANS NPN 250V 1A DPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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