MJ11030G

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Especificaciones

Número de pieza

MJ11030G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MJ11030G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

90V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

3.5V @ 500mA, 50A
Tipo de transistor

NPN - Darlington
Paquete del dispositivo

TO-3
Serie

-
Potencia - Max

300W
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

TO-204AE
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

-
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 90V 50A 300W Through Hole TO-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 25A, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

2mA
Corriente - colector (Ic) (Max)

50A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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