MBRB8H100T4G

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Especificaciones

Número de pieza

MBRB8H100T4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE SCHOTTKY 100V 8A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MBRB8H100T4G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

710mV @ 8A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

100V
Paquete del dispositivo

D2PAK
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

SWITCHMODE™
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

MBRB8H100T4G-ND
MBRB8H100T4GOSTR
Temperatura de funcionamiento - Junction

-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Schottky
Descripción detallada

Diode Schottky 100V 8A Surface Mount D2PAK
Corriente - Fuga inversa a Vr

4.5µA @ 100V
Corriente - rectificada media (Io)

8A
Capacitancia Vr, F

600pF @ 4V, 1MHz
Número de pieza base

MBRB8H100

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "MBRB8H100T4G".

MBRD10150CT-13

Descripción:

Fabricantes: Diodes Incorporated

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