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MBRA2H100T3G

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Especificaciones

Número de pieza

MBRA2H100T3G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MBRA2H100T3G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

790mV @ 2A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

100V
Paquete del dispositivo

SMA
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

DO-214AC, SMA
Otros nombres

MBRA2H100T3G-ND
MBRA2H100T3GOSTR
Temperatura de funcionamiento - Junction

-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

11 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Schottky
Descripción detallada

Diode Schottky 100V 2A Surface Mount SMA
Corriente - Fuga inversa a Vr

8µA @ 100V
Corriente - rectificada media (Io)

2A
Capacitancia Vr, F

-
Número de pieza base

MBRA2H100

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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MBRA140T3G

Descripción:

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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