KSP13TA

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Especificaciones

Número de pieza

KSP13TA
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

KSP13TA.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

30V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA
Tipo de transistor

NPN - Darlington
Paquete del dispositivo

TO-92-3
Serie

-
Potencia - Max

625mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Otros nombres

KSP13TACT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

125MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30V 500mA 125MHz 625mW Through Hole TO-92-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

500mA
Número de pieza base

KSP13

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "KSP13TA".

KSP13TF

Descripción: TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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