ISL9R860S3ST

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Especificaciones

Número de pieza

ISL9R860S3ST
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ISL9R860S3ST.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

2.4V @ 8A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

600V
Paquete del dispositivo

TO-263AB (D²PAK)
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Stealth™
Tiempo de recuperación inversa (trr)

30ns
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

ISL9R860S3ST-ND
ISL9R860S3STTR
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 175°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 600V 8A Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
Corriente - Fuga inversa a Vr

100µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io)

8A
Capacitancia Vr, F

-
Número de pieza base

ISL9R860

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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ISL9V2540S3S

Descripción: IGBT 430V 15.5A 166.7W D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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