IRFU220_R4941

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Especificaciones

Número de pieza

IRFU220_R4941
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

IRFU220_R4941.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-251AA
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

800 mOhm @ 2.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

50W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

IRFU220_R4941-ND
IRFU220FS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

18nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 4.6A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251AA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.6A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 250V 2.2A IPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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