IRFR120_R4941

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Especificaciones

Número de pieza

IRFR120_R4941
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 8.4A TO-252AA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

IRFR120_R4941.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252AA
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

270 mOhm @ 5.9A, 10V
La disipación de energía (máximo)

50W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

IRFR120_R4941-ND
IRFR120FS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 8.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8.4A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 250V 14A DPAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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