HUFA76407DK8T

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Especificaciones

Número de pieza

HUFA76407DK8T
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

HUFA76407DK8T.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SOP
Serie

UltraFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

90 mOhm @ 3.8A, 10V
Potencia - Max

2.5W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11.2nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.5W Surface Mount 8-SOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

-

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Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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HUFA75842P3

Descripción: MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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