HUF76633P3-F085

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Especificaciones

Número de pieza

HUF76633P3-F085
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N CH 100V 39A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

HUF76633P3-F085.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

35 mOhm @ 39A, 10V
La disipación de energía (máximo)

145W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

HUF76633P3_F085
HUF76633P3_F085-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1820pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

67nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 39A (Tc) 145W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

39A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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HUF76619D3ST

Descripción: MOSFET N-CH 100V 18A DPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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