H11G2W

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Especificaciones

Número de pieza

H11G2W
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

H11G2W.pdf
Modelo ECAD
Salida de voltaje - (Max)

80V
Voltaje - Aislamiento

5300Vrms
Voltaje hacia delante (Vf) (típico)

1.3V
VCE de saturación (Max)

1V
Tiempo de encendido / apagado (típico)

5µs, 100µs
Paquete del dispositivo

6-DIP
Serie

-
Tiempo de subida / bajada (típico)

-
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

6-DIP (0.400", 10.16mm)
Tipo de salida

Darlington with Base
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 100°C
número de canales

1
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

DC
Descripción detallada

Optoisolator Darlington with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP
Relación de transferencia de corriente (mín)

1000% @ 10mA
Relación de transferencia de corriente (máx)

-
Corriente - Salida / Canal

-
Corriente - Avance DC (Si) (Máx.)

60mA

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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H11G3SR2M

Descripción: OPTOISO 7.5KV DARL W/BASE 6SMD

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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