H11AG2W

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Especificaciones

Número de pieza

H11AG2W
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

H11AG2W.pdf
Modelo ECAD
Salida de voltaje - (Max)

30V
Voltaje - Aislamiento

5300Vrms
Voltaje hacia delante (Vf) (típico)

1.5V (Max)
VCE de saturación (Max)

400mV
Tiempo de encendido / apagado (típico)

5µs, 5µs
Paquete del dispositivo

6-DIP
Serie

-
Tiempo de subida / bajada (típico)

-
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

6-DIP (0.400", 10.16mm)
Tipo de salida

Transistor with Base
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 100°C
número de canales

1
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

DC
Descripción detallada

Optoisolator Transistor with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP
Relación de transferencia de corriente (mín)

50% @ 1mA
Relación de transferencia de corriente (máx)

-
Corriente - Salida / Canal

50mA
Corriente - Avance DC (Si) (Máx.)

50mA

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Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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H11AG33SD

Descripción: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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