FW217A-TL-2W

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Especificaciones

Número de pieza

FW217A-TL-2W
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 35V 6A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FW217A-TL-2W.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Paquete del dispositivo

8-SOIC
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

39 mOhm @ 6A, 10V
Potencia - Max

2.2W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

FW217A-TL-2W-ND
FW217A-TL-2WOSTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

10nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate, 4.5V Drive
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

35V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 35V 6A 2.2W Surface Mount 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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