FQT3P20TF-SB82100

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Especificaciones

Número de pieza

FQT3P20TF-SB82100
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.FQT3P20TF-SB82100.pdf
2.FQT3P20TF-SB82100.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-223-4
Serie

QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

2.7 Ohm @ 335mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres

FQT3P20TF-SB82100CT
FQT3P20TF_SB82100CT
FQT3P20TF_SB82100CT-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

P-Channel 200V 670mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

670mA (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FQT-1BK

Descripción: RIVET PUSH 0.470" ACETAL BLACK

Fabricantes: Essentra Components

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