FQN1N60CTA

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Especificaciones

Número de pieza

FQN1N60CTA
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FQN1N60CTA.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-92-3
Serie

QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

11.5 Ohm @ 150mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta), 3W (Tc)
embalaje

Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Otros nombres

FQN1N60CTA-ND
FQN1N60CTATB
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

170pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6.2nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 300mA (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

300mA (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "FQN1N60CTA".

IRLR7833TRLPBF

Descripción:

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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