FQD2N60CTM-WS

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Especificaciones

Número de pieza

FQD2N60CTM-WS
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 1.9A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FQD2N60CTM-WS.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D-Pak
Serie

QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

4.7 Ohm @ 950mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta), 44W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

FQD2N60CTM-WSDKR
FQD2N60CTM_WSDKR
FQD2N60CTM_WSDKR-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

11 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

235pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 1.9A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.9A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "FQD2N60CTM-WS".

FQD2N60CTF

Descripción: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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