FJP13007

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Especificaciones

Número de pieza

FJP13007
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 400V 8A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.FJP13007.pdf
2.FJP13007.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

400V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

3V @ 2A, 8A
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

TO-220-3
Serie

-
Potencia - Max

80W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

4MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 8A 4MHz 80W Through Hole TO-220-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

8 @ 2A, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

-
Corriente - colector (Ic) (Max)

8A
Número de pieza base

FJP13007

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FJP3305H1

Descripción: TRANS NPN 400V 4A TO-220

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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