FGA25N120ANTDTU-F109

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Especificaciones

Número de pieza

FGA25N120ANTDTU-F109
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FGA25N120ANTDTU-F109.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.65V @ 15V, 50A
Condición de prueba

600V, 25A, 10 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C

50ns/190ns
Cambio de Energía

4.1mJ (on), 960µJ (off)
Paquete del dispositivo

TO-3P
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

350ns
Potencia - Max

312W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-3P-3, SC-65-3
Otros nombres

FGA25N120ANTDTU_F109
FGA25N120ANTDTU_F109-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

NPT and Trench
puerta de carga

200nC
Descripción detallada

IGBT NPT and Trench 1200V 50A 312W Through Hole TO-3P
Corriente - Colector Pulsada (ICM)

90A
Corriente - colector (Ic) (Max)

50A
Número de pieza base

FGA25N120A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FGA30N120FTDTU

Descripción: IGBT 1200V 60A 339W TO3P

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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