FDS6812A

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Especificaciones

Número de pieza

FDS6812A
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDS6812A.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

22 mOhm @ 6.7A, 4.5V
Potencia - Max

900mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1082pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

19nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.7A 900mW Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6.7A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FDS6689S

Descripción: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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