FDR8308P

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Especificaciones

Número de pieza

FDR8308P
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDR8308P.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo

SuperSOT™-8
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

50 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Potencia - Max

800mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Gull Wing
Otros nombres

FDR8308P-ND
FDR8308PTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1240pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

19nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.2A 800mW Surface Mount SuperSOT™-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.2A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FDR842P

Descripción: MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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