FDP8D5N10C

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Especificaciones

Número de pieza

FDP8D5N10C
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

FET ENGR DEV-NOT REL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

FDP8D5N10C.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 130µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220-3
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

8.5 mOhm @ 76A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.4W (Ta), 107W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo

Lead free
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2475pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

34nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 76A (Tc) 2.4W (Ta), 107W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

76A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FDPC5030SG

Descripción:

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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