FDMS86202

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Especificaciones

Número de pieza

FDMS86202
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMS86202.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

Power56
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

7.2 mOhm @ 13.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.7W (Ta), 156W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

FDMS86202CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4250pF @ 60V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

64nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

120V
Descripción detallada

N-Channel 120V 13.5A (Ta) 2.7W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount Power56
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

13.5A (Ta)

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FDMS86200DC

Descripción:

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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