FDMS5672

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Especificaciones

Número de pieza

FDMS5672
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMS5672.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-MLP (5x6), Power56
Serie

UltraFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

11.5 mOhm @ 10.6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta), 78W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Otros nombres

FDMS5672TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

13 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2800pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

45nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 10.6A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10.6A (Ta), 22A (Tc)

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FDMS6681Z

Descripción: MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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