FDMS3500

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Especificaciones

Número de pieza

FDMS3500
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 75V 9.2A POWER56
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMS3500.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

Power Clip 56
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

14.5 mOhm @ 11.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta), 96W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

FDMS3500CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

34 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4765pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

91nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

75V
Descripción detallada

N-Channel 75V 9.2A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount Power Clip 56
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9.2A (Ta), 49A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "FDMS3500".

FDMS3604AS

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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