FDMS0310S

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Especificaciones

Número de pieza

FDMS0310S
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 19A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMS0310S.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-PQFN (5x6)
Serie

PowerTrench®, SyncFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

4 mOhm @ 18A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta), 46W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

FDMS0310STR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2820pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

46nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 19A (Ta), 42A (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Ta), 42A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FDMS0309AS

Descripción: MOSFET N-CH 30V 21A PT8

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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