FDMC86160ET100

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Especificaciones

Número de pieza

FDMC86160ET100
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMC86160ET100.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

Power33
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

14 mOhm @ 9A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.8W (Ta), 65W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Otros nombres

FDMC86160ET100TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1290pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

22nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 9A (Ta), 43A (Tc) 2.8W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount Power33
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta), 43A (Tc)

Noticias relaciondas
Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FDMC8588

Descripción: MOSFET N-CH 25V 40A 8-MLP

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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