FDMC8010DC

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Especificaciones

Número de pieza

FDMC8010DC
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMC8010DC.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-PQFN (3.3x3.3)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.28 mOhm @ 37A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Otros nombres

FDMC8010DC-ND
FDMC8010DCOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7080pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

94nC @ 15V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Standard
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 37A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

37A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "FDMC8010DC".

FDMC8030

Descripción: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8MLP

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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