FDMB3800N

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Especificaciones

Número de pieza

FDMB3800N
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMB3800N.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

40 mOhm @ 4.8A, 10V
Potencia - Max

750mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Otros nombres

FDMB3800NCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

465pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

5.6nC @ 5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.8A 750mW Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.8A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "FDMB3800N".

FDMC008N08C

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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