FDG6322C

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Especificaciones

Número de pieza

FDG6322C
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDG6322C.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo

SC-70-6
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

4 Ohm @ 220mA, 4.5V
Potencia - Max

300mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

FDG6322CTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 25V 220mA, 410mA 300mW Surface Mount SC-70-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

220mA, 410mA

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FDG6317NZ

Descripción:

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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