FDD9509L-F085

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Especificaciones

Número de pieza

FDD9509L-F085
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

FDD9509L-F085.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D-PAK (TO-252)
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

7.5 mOhm @ 70A, 10V
La disipación de energía (máximo)

150W (Tj)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

FDD9509L-F085OSCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo

Lead free
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3350pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

75nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

P-Channel 40V 90A (Tc) 150W (Tj) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

90A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FDDS100H06

Descripción: IC SMART HIGH SIDE SWITCH DPAK-5

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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