FDD107AN06LA0

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Especificaciones

Número de pieza

FDD107AN06LA0
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDD107AN06LA0.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252AA
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

91 mOhm @ 10.9A, 10V
La disipación de energía (máximo)

25W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

5.5nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 3.4A (Ta), 10.9A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A (Ta), 10.9A (Tc)

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Forma de pago

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FDD13AN06A0_F085

Descripción: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

Fabricantes: Fairchild/ON Semiconductor

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