FDB38N30U

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Especificaciones

Número de pieza

FDB38N30U
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDB38N30U.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D²PAK
Serie

UniFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

120 mOhm @ 19A, 10V
La disipación de energía (máximo)

313W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

FDB38N30UCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

9 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3340pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

73nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

300V
Descripción detallada

N-Channel 300V 38A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount D²PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

38A (Tc)

Noticias relaciondas
Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "FDB38N30U".

FDB44N25TM

Descripción: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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