FCPF150N65F

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Especificaciones

Número de pieza

FCPF150N65F
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FCPF150N65F.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 2.4mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220F
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

150 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo)

39W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Otros nombres

FCPF150N65F-ND
FCPF150N65FOS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

52 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3737pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

94nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 14.9A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

14.9A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FCPF125N65S3

Descripción: MOSFET N-CH 650V 24A TO220F

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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