FCH22N60N

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Especificaciones

Número de pieza

FCH22N60N
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET N-CH 600V 22A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FCH22N60N.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247-3
Serie

SupreMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

165 mOhm @ 11A, 10V
La disipación de energía (máximo)

205W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1950pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

45nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-247-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FCH47N60N

Descripción: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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