FCH072N60F-F085

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Especificaciones

Número de pieza

FCH072N60F-F085
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 52A TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FCH072N60F-F085.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247
Serie

Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
RDS (Max) @Id, Vgs

72 mOhm @ 26A, 10V
La disipación de energía (máximo)

481W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Otros nombres

FCH072N60F_F085
FCH072N60F_F085-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6330pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

210nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 52A (Tc) 481W (Tc) Through Hole TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

52A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FCH099N65S3_F155

Descripción: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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