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EFC4C012NLTDG

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Especificaciones

Número de pieza

EFC4C012NLTDG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

EFC4C012NLTDG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 1mA
Paquete del dispositivo

6-WLCSP (3.5x1.9)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

-
Potencia - Max

2.5W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-SMD, No Lead
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

18nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2.5W (Ta) Surface Mount 6-WLCSP (3.5x1.9)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

-

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "EFC4C012NLTDG".

EFC4619R-TR

Descripción: MOSFET 2N-CH EFCP

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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