ECH8310-TL-H

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Especificaciones

Número de pieza

ECH8310-TL-H
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ECH8310-TL-H.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-ECH
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

17 mOhm @ 4.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.5W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Otros nombres

ECH8310-TL-H-ND
ECH8310-TL-HOSTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

28nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-ECH
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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ECH8102-TL-H

Descripción: TRANS PNP 30V 12A ECH8

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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