BU323ZG

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Especificaciones

Número de pieza

BU323ZG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN DARL 350V 10A TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BU323ZG.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

350V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

1.7V @ 250mA, 10A
Tipo de transistor

NPN - Darlington
Paquete del dispositivo

TO-247
Serie

-
Potencia - Max

150W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Otros nombres

BU323ZG-ND
BU323ZGOS
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

9 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

2MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 10A 2MHz 150W Through Hole TO-247
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

500 @ 5A, 4.6V
Corriente - corte del colector (Max)

100µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

10A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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BU32TD2WNVX-TL

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Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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