BD158STU

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Especificaciones

Número de pieza

BD158STU
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 300V 0.5A TO-126
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BD158STU.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

300V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

-
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

TO-126
Serie

-
Potencia - Max

20W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-225AA, TO-126-3
Temperatura de funcionamiento

-
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

-
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 500mA 20W Through Hole TO-126
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max)

100µA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

500mA

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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